文章摘要:全控型压接式器件是大容量电力电子装备实现功率转换的核心，主要包括以集成门极换流晶闸管（integrated gate commutated thyristor，IGCT）为代表的晶闸管类器件和以绝缘栅型双极晶体管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）、注入增强栅极晶体管（injection enhanced gate transistor，IEGT）为代表的晶体管类器件。本文首先介绍并比较了IGCT与IGBT（含IEGT）的芯片结构及制作工艺，然后分析对比了IGCT与IGBT（含IEGT）的工作原理及封装形式，接着从工作频率、关断能力、动态耐受、器件容量、工作损耗、驱动功率、管壳防爆特性、失效短路特性、器件可靠性等九个角度出发，系统性分析了不同全控型压接式器件的工作特性，最后对其应用现状及前景进行了概述及展望。

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论文分类号:TN322.8;TN34;TM721.1